В исследовании объединили усилия специалисты Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ», Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН, а также СПбГУ. Они исследовали магнитные свойства кристаллов оксида галлия, легированных железом.

Профессор кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», старший научный сотрудник лаборатории физики профилированных кристаллов ФТИ имени Иоффе РАН Камиль Гареев сообщил, что команда вырастила сильно легированные железом монокристаллы раствор-расплавным методом. В них обнаружили признаки магнитного упорядочения при комнатной температуре.

Оксид галлия может заменить кремний в силовой электронике. Для развития спинтроники требуются полупроводники, которыми можно управлять одновременно через электрические и магнитные свойства. Такие материалы позволят создать энергонезависимую и энергоэффективную память.

Заведующий лабораторией физики профилированных кристаллов ФТИ имени Иоффе РАН Владимир Николаев заявил, что исследование приблизило получение ферромагнитных свойств у оксида галлия. В перспективе материал может стать основой приборов спинтроники для быстрой коммутации энергии в высоковольтных линиях и магнитного хранения данных на одном кристалле.